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RGT40NS65DGTL

RGT40NS65DGTL

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是罗姆半导体集团的RGT40NS65DGTL的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；IGBT类型：沟道和场截止；电压-集射极击穿（最大值）：650V；电流-集电极（Ic）（最大值）：40A；脉冲电流-集电极(Icm)：60A；


  • 厂商：罗姆半导体集团
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：-
  • IGBT类型：沟道和场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：40A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：60A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.1V @ 15V，20A
  • 功率-最大值：161W
  • 开关能量：-
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：40nC
  • 25°C时Td（开/关）值：22ns/75ns
  • 测试条件：400V，20A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）：58ns
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 安装类型：表面贴装
  • 供应商器件封装：LPDS（TO-263S）
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