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APT35GA90B

APT35GA90B

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APT35GA90B的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：POWER MOS 8™；IGBT类型：PT；电压-集射极击穿（最大值）：900V；电流-集电极（Ic）（最大值）：63A；


  • 厂商：美高森美电源产品集团有限公司
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：POWER MOS 8™
  • IGBT类型：PT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：900V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：63A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：105A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：3.1V @ 15V，18A
  • 功率-最大值：290W
  • 开关能量：642µJ（开），382µJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：84nC
  • 25°C时Td（开/关）值：12ns/104ns
  • 测试条件：600V，18A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）：-
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-247 [B]
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