STGB35N35LZ-1
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是意法半导体公司的STGB35N35LZ-1的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:PowerMESH™;电压-集射极击穿(最大值):345V;电流-集电极(Ic)(最大值):40A;脉冲电流-集电极(Icm):80A;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 单路/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:PowerMESH™
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):345V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):40A
- 脉冲电流-集电极(Icm):80A
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):1.7V @ 4.5V,15A
- 功率-最大值:176W
- 开关能量:-
- 输入类型:逻辑
- 栅极电荷:49nC
- 25°C时Td(开/关)值:1.1µs/26.5µs
- 测试条件:300V,15A,5V
- 反向恢复时间(trr):-
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK