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综述介绍

SGB02N120

SGB02N120

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是英飞凌科技公司的SGB02N120的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；IGBT类型：NPT；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：6.2A；脉冲电流-集电极(Icm)：9.6A；

厂商：英飞凌科技公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：6.2A
脉冲电流-集电极(Icm)：9.6A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：3.6V @ 15V，2A
功率-最大值：62W
开关能量：220µJ
输入类型：标准
栅极电荷：11nC
25°C时Td（开/关）值：23ns/260ns
测试条件：800V，2A，91 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：PG-TO263-3

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