Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > IGBT - 单路 > STGD10NC60HDT4

综述介绍

STGD10NC60HDT4

STGD10NC60HDT4

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是意法半导体公司的STGD10NC60HDT4的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；系列：PowerMESH™；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：20A；脉冲电流-集电极(Icm)：30A；

厂商：意法半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：PowerMESH™
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：20A
脉冲电流-集电极(Icm)：30A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.5V @ 15V，5A
功率-最大值：62W
开关能量：31.8µJ（开），95µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：19.2nC
25°C时Td（开/关）值：14.2ns/72ns
测试条件：390V，5A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：22ns
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D-Pak

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号