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综述介绍

IXBT12N300

IXBT12N300

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的IXBT12N300的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；系列：BIMOSFET™；电压-集射极击穿（最大值）：3000V；电流-集电极（Ic）（最大值）：30A；脉冲电流-集电极(Icm)：100A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：BIMOSFET™
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：3000V
电流-集电极（Ic）（最大值）：30A
脉冲电流-集电极(Icm)：100A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：3.2V @ 15V，12A
功率-最大值：160W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：62nC
25°C时Td（开/关）值：-
测试条件：-
反向恢复时间（trr）：1.4µs
封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-268

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