AOB10B65M1
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是万国半导体元件有限公司的AOB10B65M1的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:Alpha IGBT™;电压-集射极击穿(最大值):650V;电流-集电极(Ic)(最大值):20A;脉冲电流-集电极(Icm):30A;
- 厂商:万国半导体元件有限公司
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 单路/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:Alpha IGBT™
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):650V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):20A
- 脉冲电流-集电极(Icm):30A
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):2V @ 15V,10A
- 功率-最大值:150W
- 开关能量:180µJ(开),130µJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:24nC
- 25°C时Td(开/关)值:12ns/91ns
- 测试条件:400V,10A,30 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):262ns
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 安装类型:表面贴装
- 供应商器件封装:TO-263(D2Pak)