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综述介绍

AOTF10B65M2

AOTF10B65M2

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是万国半导体元件有限公司的AOTF10B65M2的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；系列：Alpha IGBT™；电压-集射极击穿（最大值）：650V；电流-集电极（Ic）（最大值）：20A；脉冲电流-集电极(Icm)：30A；

厂商：万国半导体元件有限公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：Alpha IGBT™
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极（Ic）（最大值）：20A
脉冲电流-集电极(Icm)：30A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2V @ 15V，10A
功率-最大值：30W
开关能量：180µJ（开），130µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：24nC
25°C时Td（开/关）值：12ns/91ns
测试条件：400V，10A，30 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：262ns
封装/外壳：TO-220-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220

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