IXGA12N100

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的IXGA12N100的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；电压-集射极击穿（最大值）：1000V；电流-集电极（Ic）（最大值）：24A；脉冲电流-集电极(Icm)：48A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：3.5V @ 15V，12A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：1000V
电流-集电极（Ic）（最大值）：24A
脉冲电流-集电极(Icm)：48A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：3.5V @ 15V，12A
功率-最大值：100W
开关能量：2.5mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：65nC
25°C时Td（开/关）值：100ns/850ns
测试条件：800V，12A，120 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-263（IXGA）

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