IXDA20N120AS

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的IXDA20N120AS的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；IGBT类型：NPT；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：38A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：3V @ 15V，20A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：38A
脉冲电流-集电极(Icm)：-
不同Vge，Ic时的Vce（on）：3V @ 15V，20A
功率-最大值：200W
开关能量：3.1mJ（开），2.4mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：70nC
25°C时Td（开/关）值：-
测试条件：600V，20A，82 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-263

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