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综述介绍

IXBH5N160G

IXBH5N160G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的IXBH5N160G的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；系列：BIMOSFET™；电压-集射极击穿（最大值）：1600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：5.7A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：7.2V @ 15V，3A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：BIMOSFET™
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：1600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：5.7A
脉冲电流-集电极(Icm)：-
不同Vge，Ic时的Vce（on）：7.2V @ 15V，3A
功率-最大值：68W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：26nC
25°C时Td（开/关）值：-
测试条件：960V，3A，47 欧姆，10V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247AD（IXBH）

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