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综述介绍

IXGQ96N30TBD1

IXGQ96N30TBD1

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的IXGQ96N30TBD1的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：沟道；电压-集射极击穿（最大值）：320V；电流-集电极（Ic）（最大值）：96A；输入类型：标准；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：沟道
电压-集射极击穿（最大值）：320V
电流-集电极（Ic）（最大值）：96A
脉冲电流-集电极(Icm)：-
不同Vge，Ic时的Vce（on）：-
功率-最大值：-
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：-
25°C时Td（开/关）值：-
测试条件：-
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P

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