GT30J121(Q)

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是东芝半导体的GT30J121(Q)的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：30A；脉冲电流-集电极(Icm)：60A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.45V @ 15V，30A；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：30A
脉冲电流-集电极(Icm)：60A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.45V @ 15V，30A
功率-最大值：170W
开关能量：1mJ（开），800µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：-
25°C时Td（开/关）值：90ns/300ns
测试条件：300V，30A，24 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P（N）

PDF 下载