GT60M303(Q)

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是东芝半导体的GT60M303(Q)的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；电压-集射极击穿（最大值）：900V；电流-集电极（Ic）（最大值）：60A；脉冲电流-集电极(Icm)：120A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.7V @ 15V，60A；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：900V
电流-集电极（Ic）（最大值）：60A
脉冲电流-集电极(Icm)：120A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.7V @ 15V，60A
功率-最大值：170W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：-
25°C时Td（开/关）值：460ns/600ns
测试条件：-
反向恢复时间（trr）：2.5µs
封装/外壳：TO-3PL
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P（LH）

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