Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > IGBT - 单路 > IXGT32N90B2D1

综述介绍

IXGT32N90B2D1

IXGT32N90B2D1

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的IXGT32N90B2D1的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；系列：HiPerFAST™；电压-集射极击穿（最大值）：900V；电流-集电极（Ic）（最大值）：64A；脉冲电流-集电极(Icm)：200A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：HiPerFAST™
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：900V
电流-集电极（Ic）（最大值）：64A
脉冲电流-集电极(Icm)：200A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.7V @ 15V，32A
功率-最大值：300W
开关能量：2.2mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：89nC
25°C时Td（开/关）值：20ns/260ns
测试条件：720V，32A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：190ns
封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-268

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号