IXGT20N120BD1

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的IXGT20N120BD1的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：散装；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：40A；脉冲电流-集电极(Icm)：100A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：3.4V @ 15V，20A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：40A
脉冲电流-集电极(Icm)：100A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：3.4V @ 15V，20A
功率-最大值：190W
开关能量：2.1mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：72nC
25°C时Td（开/关）值：25ns/150ns
测试条件：960V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：40ns
封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-268

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