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综述介绍

IXXH75N60B3D1

IXXH75N60B3D1

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的IXXH75N60B3D1的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；系列：GenX3™，XPT™；IGBT类型：PT；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：160A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：GenX3™，XPT™
IGBT类型：PT
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：160A
脉冲电流-集电极(Icm)：300A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.85V @ 15V，60A
功率-最大值：750W
开关能量：1.7mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：107nC
25°C时Td（开/关）值：35ns/118ns
测试条件：400V，60A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：25ns
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247（IXXH）

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