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综述介绍

IXDR30N120

IXDR30N120

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的IXDR30N120的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：NPT；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：50A；脉冲电流-集电极(Icm)：60A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：50A
脉冲电流-集电极(Icm)：60A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.9V @ 15V，30A
功率-最大值：200W
开关能量：4.6mJ（开），3.4mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：120nC
25°C时Td（开/关）值：-
测试条件：600V，30A，47 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：ISOPLUS247™
安装类型：通孔
供应商器件封装：ISOPLUS247™

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