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综述介绍

IXBF9N160G

IXBF9N160G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的IXBF9N160G的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；系列：BIMOSFET™；电压-集射极击穿（最大值）：1600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：7A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：7V @ 15V，5A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：BIMOSFET™
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：1600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：7A
脉冲电流-集电极(Icm)：-
不同Vge，Ic时的Vce（on）：7V @ 15V，5A
功率-最大值：70W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：34nC
25°C时Td（开/关）值：-
测试条件：960V，5A，27 欧姆，10V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：i4-Pac™-5（3 引线）
安装类型：通孔
供应商器件封装：ISOPLUS i4-PAC™

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