APT40GP60BG
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是美高森美电源产品集团有限公司的APT40GP60BG的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:POWER MOS 7®;IGBT类型:PT;电压-集射极击穿(最大值):600V;电流-集电极(Ic)(最大值):100A;
- 厂商:美高森美电源产品集团有限公司
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 单路/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:POWER MOS 7®
- IGBT类型:PT
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):100A
- 脉冲电流-集电极(Icm):160A
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.7V @ 15V,40A
- 功率-最大值:543W
- 开关能量:385µJ(开),352µJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:135nC
- 25°C时Td(开/关)值:20ns/64ns
- 测试条件:400V,40A,5 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):-
- 封装/外壳:TO-247-3
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 [B]