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IXGT32N170A

IXGT32N170A

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是IXYS的IXGT32N170A的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;IGBT类型:NPT;电压-集射极击穿(最大值):1700V;电流-集电极(Ic)(最大值):32A;脉冲电流-集电极(Icm):110A;


  • 厂商:IXYS
  • 类别: 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • IGBT类型:NPT
  • 电压-集射极击穿(最大值):1700V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):32A
  • 脉冲电流-集电极(Icm):110A
  • 不同Vge,Ic时的Vce(on):5V @ 15V,21A
  • 功率-最大值:350W
  • 开关能量:1.5mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:155nC
  • 25°C时Td(开/关)值:46ns/260ns
  • 测试条件:850V,32A,2.7 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 封装/外壳:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 安装类型:表面贴装
  • 供应商器件封装:TO-268
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