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IXBH28N170A

IXBH28N170A

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是IXYS的IXBH28N170A的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：BIMOSFET™；电压-集射极击穿（最大值）：1700V；电流-集电极（Ic）（最大值）：30A；脉冲电流-集电极(Icm)：60A；


  • 厂商：IXYS
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：BIMOSFET™
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1700V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：30A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：60A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：6V @ 15V，14A
  • 功率-最大值：300W
  • 开关能量：1.2mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：105nC
  • 25°C时Td（开/关）值：35ns/265ns
  • 测试条件：850V，14A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）：360ns
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-247AD（IXBH）
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