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综述介绍

IXBH42N170A

IXBH42N170A

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的IXBH42N170A的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；系列：BIMOSFET™；电压-集射极击穿（最大值）：1700V；电流-集电极（Ic）（最大值）：42A；脉冲电流-集电极(Icm)：265A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：BIMOSFET™
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：1700V
电流-集电极（Ic）（最大值）：42A
脉冲电流-集电极(Icm)：265A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：6V @ 15V，21A
功率-最大值：357W
开关能量：3.43mJ（开），430µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：188nC
25°C时Td（开/关）值：19ns/200ns
测试条件：850V，21A，1 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：330ns
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247AD（IXBH）

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