RJP60F0DPE-00#J3
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是瑞萨电子美国公司的RJP60F0DPE-00#J3的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);IGBT类型:沟道;电压-集射极击穿(最大值):600V;电流-集电极(Ic)(最大值):50A;不同Vge,Ic时的Vce(on):1.82V @ 15V,25A;
- 厂商:瑞萨电子美国公司
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 单路/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- IGBT类型:沟道
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):50A
- 脉冲电流-集电极(Icm):-
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):1.82V @ 15V,25A
- 功率-最大值:122W
- 开关能量:-
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:-
- 25°C时Td(开/关)值:46ns/70ns
- 测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):-
- 封装/外壳:SC-83
- 安装类型:表面贴装
- 供应商器件封装:4-LDPAK