RJH1CM5DPQ-E0#T2
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是瑞萨电子美国公司的RJH1CM5DPQ-E0#T2的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;电压-集射极击穿(最大值):1200V;电流-集电极(Ic)(最大值):30A;不同Vge,Ic时的Vce(on):2.7V @ 15V,15A;功率-最大值:245W;
- 厂商:瑞萨电子美国公司
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 单路/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:-
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):1200V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):30A
- 脉冲电流-集电极(Icm):-
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.7V @ 15V,15A
- 功率-最大值:245W
- 开关能量:1.6mJ(开), 700µJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:74nC
- 25°C时Td(开/关)值:40ns/100ns
- 测试条件:600V,15A,5 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):200ns
- 封装/外壳:TO-247-3
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247