RJH1CV7DPQ-E0#T2

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的RJH1CV7DPQ-E0#T2的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：沟道；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：70A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.3V @ 15V，35A；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：沟道
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：70A
脉冲电流-集电极(Icm)：-
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.3V @ 15V，35A
功率-最大值：320W
开关能量：3.2mJ（开），2.5mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：166nC
25°C时Td（开/关）值：53ns/185ns
测试条件：600V，35A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：200ns
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247

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