RJP4301APP-M0#T2

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的RJP4301APP-M0#T2的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：*；电压-集射极击穿（最大值）：430V；脉冲电流-集电极(Icm)：200A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：10V @ 26V，200A；功率-最大值：30W；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：*
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：430V
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
脉冲电流-集电极(Icm)：200A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：10V @ 26V，200A
功率-最大值：30W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：-
25°C时Td（开/关）值：50ns/100ns
测试条件：300V，200A，30 欧姆，26V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：*
安装类型：*
供应商器件封装：*

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