NGD8201BNT4G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NGD8201BNT4G的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；电压-集射极击穿（最大值）：430V；电流-集电极（Ic）（最大值）：15A；脉冲电流-集电极(Icm)：50A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.8V @ 4.5V，10A；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：430V
电流-集电极（Ic）（最大值）：15A
脉冲电流-集电极(Icm)：50A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.8V @ 4.5V，10A
功率-最大值：115W
开关能量：-
输入类型：逻辑
栅极电荷：-
25°C时Td（开/关）值：-/4µs
测试条件：300V，6.5A，1 千欧
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：DPAK

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