IGB01N120H2

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是英飞凌科技公司的IGB01N120H2的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：3.2A；脉冲电流-集电极(Icm)：3.5A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.8V @ 15V，1A；

厂商：英飞凌科技公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：3.2A
脉冲电流-集电极(Icm)：3.5A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.8V @ 15V，1A
功率-最大值：28W
开关能量：140µJ
输入类型：标准
栅极电荷：8.6nC
25°C时Td（开/关）值：13ns/370ns
测试条件：800V，1A，241 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：PG-TO263-3-2

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