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STGF10NB60SD

STGF10NB60SD

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是意法半导体公司的STGF10NB60SD的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：PowerMESH™；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：23A；脉冲电流-集电极(Icm)：80A；


  • 厂商：意法半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：PowerMESH™
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：23A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：80A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.75V @ 15V，10A
  • 功率-最大值：25W
  • 开关能量：600µJ（开），5mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：33nC
  • 25°C时Td（开/关）值：700ns/1.2µs
  • 测试条件：480V，10A，1 千欧，15V
  • 反向恢复时间（trr）：37ns
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-220FP
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