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综述介绍

SGB30N60

SGB30N60

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是英飞凌科技公司的SGB30N60的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；IGBT类型：NPT；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：41A；脉冲电流-集电极(Icm)：112A；

厂商：英飞凌科技公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：41A
脉冲电流-集电极(Icm)：112A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.4V @ 15V，30A
功率-最大值：250W
开关能量：1.29mJ
输入类型：标准
栅极电荷：140nC
25°C时Td（开/关）值：44ns/291ns
测试条件：400V，30A，11 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：PG-TO263-3

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