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综述介绍

STGW35NB60SD

STGW35NB60SD

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是意法半导体公司的STGW35NB60SD的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；系列：PowerMESH™；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：70A；脉冲电流-集电极(Icm)：250A；

厂商：意法半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：PowerMESH™
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：70A
脉冲电流-集电极(Icm)：250A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.7V @ 15V，20A
功率-最大值：200W
开关能量：840µJ（开），7.4mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：83nC
25°C时Td（开/关）值：92ns/1.1µs
测试条件：480V，20A，100 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：44ns
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-3

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