SKW30N60HS
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是英飞凌科技公司的SKW30N60HS的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;IGBT类型:NPT;电压-集射极击穿(最大值):600V;电流-集电极(Ic)(最大值):41A;脉冲电流-集电极(Icm):112A;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 单路/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:-
- IGBT类型:NPT
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):41A
- 脉冲电流-集电极(Icm):112A
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):3.15V @ 15V,30A
- 功率-最大值:250W
- 开关能量:1.15mJ
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:141nC
- 25°C时Td(开/关)值:20ns/250ns
- 测试条件:400V,30A,11 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):125ns
- 封装/外壳:TO-247-3
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:PG-TO247-3