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综述介绍

NGTB50N60FL2WG

NGTB50N60FL2WG

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NGTB50N60FL2WG的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：沟道和场截止；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：100A；脉冲电流-集电极(Icm)：200A；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：沟道和场截止
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：100A
脉冲电流-集电极(Icm)：200A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2V @ 15V，50A
功率-最大值：417W
开关能量：1.5mJ（开），460µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：220nC
25°C时Td（开/关）值：100ns/237ns
测试条件：400V，50A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：94ns
封装/外壳：通孔
安装类型：*
供应商器件封装：TO-247-3

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