APT75GN60B2DQ3G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APT75GN60B2DQ3G的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：155A；脉冲电流-集电极(Icm)：225A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.85V @ 15V，75A；

厂商：美高森美电源产品集团有限公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：155A
脉冲电流-集电极(Icm)：225A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.85V @ 15V，75A
功率-最大值：536W
开关能量：2500µJ（开），2140µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：485nC
25°C时Td（开/关）值：47ns/385ns
测试条件：400V，75A，1 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
安装类型：通孔
供应商器件封装：-