IXST35N120B
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是IXYS的IXST35N120B的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;IGBT类型:PT;电压-集射极击穿(最大值):1200V;电流-集电极(Ic)(最大值):70A;脉冲电流-集电极(Icm):140A;
- 厂商:IXYS
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 单路/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:-
- IGBT类型:PT
- 电压-集射极击穿(最大值):1200V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):70A
- 脉冲电流-集电极(Icm):140A
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):3.6V @ 15V,35A
- 功率-最大值:300W
- 开关能量:5mJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:120nC
- 25°C时Td(开/关)值:36ns/160ns
- 测试条件:960V,35A,5 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):-
- 封装/外壳:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
- 安装类型:表面贴装
- 供应商器件封装:TO-268