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综述介绍

IXST30N60B

IXST30N60B

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的IXST30N60B的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：PT；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：55A；脉冲电流-集电极(Icm)：110A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：PT
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：55A
脉冲电流-集电极(Icm)：110A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2V @ 15V，30A
功率-最大值：200W
开关能量：1.5mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：100nC
25°C时Td（开/关）值：30ns/150ns
测试条件：480V，30A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-268

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