GT10G131(TE12L,Q)

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是东芝半导体的GT10G131(TE12L,Q)的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；电压-集射极击穿（最大值）：400V；脉冲电流-集电极(Icm)：200A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.3V @ 4V， 200A；功率-最大值：1W；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：400V
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
脉冲电流-集电极(Icm)：200A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.3V @ 4V， 200A
功率-最大值：1W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：-
25°C时Td（开/关）值：3.1µs/2µs
测试条件：-
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：8-SOIC（0.173，4.40mm 宽）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）

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