GT10J312(Q)

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是东芝半导体的GT10J312(Q)的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：10A；脉冲电流-集电极(Icm)：20A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.7V @ 15V，10A；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：10A
脉冲电流-集电极(Icm)：20A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.7V @ 15V，10A
功率-最大值：60W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：-
25°C时Td（开/关）值：400ns/400ns
测试条件：300V，10A，100 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：200ns
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-220SM

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