GT50J121(Q)

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是东芝半导体的GT50J121(Q)的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：50A；脉冲电流-集电极(Icm)：100A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.45V @ 15V，50A；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：50A
脉冲电流-集电极(Icm)：100A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.45V @ 15V，50A
功率-最大值：240W
开关能量：1.3mJ（开）， 1.34mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：-
25°C时Td（开/关）值：90ns/300ns
测试条件：300V，50A，13 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-3PL
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P（LH）

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