SGW10N60RUFDTM

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是飞兆半导体公司的SGW10N60RUFDTM的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：16A；脉冲电流-集电极(Icm)：30A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.8V @ 15V，10A；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：16A
脉冲电流-集电极(Icm)：30A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.8V @ 15V，10A
功率-最大值：75W
开关能量：141µJ（开），215µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：30nC
25°C时Td（开/关）值：15ns/36ns
测试条件：300V，10A，20 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：60ns
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D²PAK

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