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综述介绍

HGTP5N120BND

HGTP5N120BND

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是飞兆半导体公司的HGTP5N120BND的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：NPT；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：21A；脉冲电流-集电极(Icm)：40A；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：21A
脉冲电流-集电极(Icm)：40A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.7V @ 15V，5A
功率-最大值：167W
开关能量：450µJ（开），390µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：53nC
25°C时Td（开/关）值：22ns/160ns
测试条件：960V，5A，25 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：65ns
封装/外壳：TO-220-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220AB

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