HGT1S20N35G3VLS

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是飞兆半导体公司的HGT1S20N35G3VLS的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；电压-集射极击穿（最大值）：375V；电流-集电极（Ic）（最大值）：20A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.8V @ 5V，20A；功率-最大值：150W；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：375V
电流-集电极（Ic）（最大值）：20A
脉冲电流-集电极(Icm)：-
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.8V @ 5V，20A
功率-最大值：150W
开关能量：-
输入类型：逻辑
栅极电荷：28.7nC
25°C时Td（开/关）值：-/15µs
测试条件：300V，10A，25欧姆，5V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-263AB

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