RJH60A83RDPD-E0#J2

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的RJH60A83RDPD-E0#J2的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；IGBT类型：沟道；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：20A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.6V @ 15V，10A；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
IGBT类型：沟道
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：20A
脉冲电流-集电极(Icm)：-
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.6V @ 15V，10A
功率-最大值：51W
开关能量：230µJ（开），160µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：19.7nC
25°C时Td（开/关）值：31ns/54ns
测试条件：300V，10A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：130ns
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-252