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STGB3NB60KDT4

STGB3NB60KDT4

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是意法半导体公司的STGB3NB60KDT4的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：PowerMESH™；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：10A；脉冲电流-集电极(Icm)：24A；


  • 厂商：意法半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：PowerMESH™
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：10A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：24A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.8V @ 15V，3A
  • 功率-最大值：50W
  • 开关能量：30µJ（开），58µJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：14nC
  • 25°C时Td（开/关）值：14ns/33ns
  • 测试条件：480V，3A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）：45ns
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 安装类型：表面贴装
  • 供应商器件封装：D2PAK
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