NGB8206N

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NGB8206N的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件可替代的包装；电压-集射极击穿（最大值）：390V；电流-集电极（Ic）（最大值）：20A；脉冲电流-集电极(Icm)：50A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.9V @ 4.5V，20A；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件可替代的包装
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：390V
电流-集电极（Ic）（最大值）：20A
脉冲电流-集电极(Icm)：50A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.9V @ 4.5V，20A
功率-最大值：150W
开关能量：-
输入类型：逻辑
栅极电荷：-
25°C时Td（开/关）值：-/5µs
测试条件：300V，9A，1 千欧，5V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D2PAK

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