IKD06N60R
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是英飞凌科技公司的IKD06N60R的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:TrenchStop®;IGBT类型:沟道;电压-集射极击穿(最大值):600V;电流-集电极(Ic)(最大值):12A;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 单路/
- 主要规格参数:
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- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:TrenchStop®
- IGBT类型:沟道
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):12A
- 脉冲电流-集电极(Icm):18A
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.1V @ 15V,6A
- 功率-最大值:100W
- 开关能量:330µJ
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:48nC
- 25°C时Td(开/关)值:12ns/127ns
- 测试条件:400V,6A,23 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):68ns
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 安装类型:表面贴装
- 供应商器件封装:PG-TO252-3