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IKD06N60R

IKD06N60R

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是英飞凌科技公司的IKD06N60R的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:TrenchStop®;IGBT类型:沟道;电压-集射极击穿(最大值):600V;电流-集电极(Ic)(最大值):12A;


  • 厂商:英飞凌科技公司
  • 类别: 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
  • 系列:TrenchStop®
  • IGBT类型:沟道
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):12A
  • 脉冲电流-集电极(Icm):18A
  • 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.1V @ 15V,6A
  • 功率-最大值:100W
  • 开关能量:330µJ
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:48nC
  • 25°C时Td(开/关)值:12ns/127ns
  • 测试条件:400V,6A,23 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):68ns
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 安装类型:表面贴装
  • 供应商器件封装:PG-TO252-3
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