Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > IGBT - 单路 > IHW15N120R2

综述介绍

IHW15N120R2

IHW15N120R2

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是英飞凌科技公司的IHW15N120R2的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：沟道和场截止；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：30A；脉冲电流-集电极(Icm)：45A；

厂商：英飞凌科技公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：沟道和场截止
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：30A
脉冲电流-集电极(Icm)：45A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.75V @ 15V，15A
功率-最大值：357W
开关能量：900µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：133nC
25°C时Td（开/关）值：-/282ns
测试条件：600V，15A，14.8 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号