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综述介绍

IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的IXXN110N65B4H1的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。具体规格参数如下：系列：GenX4™，XPT™；IGBT类型：PT；配置：单一；电压-集射极击穿（最大值）：650V；电流-集电极（Ic）（最大值）：215A；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/IGBT - 模块/
主要规格参数:
系列：GenX4™，XPT™
IGBT类型：PT
配置：单一
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极（Ic）（最大值）：215A
功率-最大值：750W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.1V @ 15V，110A
电流-集电极截止（最大值）：50µA
不同Vce时的输入电容（Cies）：3.65nF @ 25V
输入：标准
NTC热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227B

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