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综述介绍

APT60GA60JD60

APT60GA60JD60

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APT60GA60JD60的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。具体规格参数如下：系列：POWER MOS 8™；IGBT类型：PT；配置：单一；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：112A；

厂商：美高森美电源产品集团有限公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 模块/
主要规格参数:
系列：POWER MOS 8™
IGBT类型：PT
配置：单一
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：112A
功率-最大值：356W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.5V @ 15V，62A
电流-集电极截止（最大值）：275µA
不同Vce时的输入电容（Cies）：8.01nF @ 25V
输入：标准
NTC热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：ISOTOP®

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